Die zwei 80-V-N-Kanal-MOSFETs erfüllen die Anforderungen des Standards AEC-Q101 und unterstützen 48-V-Automobilsysteme. Der XPH2R608QB und der XPH3R908QB sind die ersten Produkte der Generation der U-MOSX-H-Serie, die in SOP Advance-(WF)-Gehäusen mit AOI-fähigen Strukturen untergebracht sind.

Technische Details

• Der Einschaltwiderstand RDS(ON) des XPH2R608QB beträgt 2,55mΩ (max.) bei einer Gesamt-Gate-Ladung (Qg) von 95nC (typ.).
• Beim XPH3R908QB liegen die entsprechenden Werte bei 3,9mΩ (max.) und 63nC (typ.). Für beide Modelle gilt eine Gate-Source-Spannung (VGS) von 10V (max.).
• Das SOP-WF-Gehäuse ist mit einer Kupferverbindungsstruktur ausgestattet. Dadurch wird der Widerstand des MOSFET-Gehäuses reduziert.
• Das Design der Lötmenisken verbessert die Sichtbarkeit der Lötstellen, was die Überprüfung der Montagebedingungen auf der Leiterplatte mittels AOI (Automatische Optische Inspektion) erleichtert.

Wozu braucht man das?

Die Modelle XPH2R608QB und XPH3R908QB eignen sich für den Einsatz in Antrieben für bürstenlose Gleichstrommotoren (BLDC) mit N-Kanal-MOSFETs (NMOS) und nicht isolierten DC/DC-Wandlern. Zu den weiteren Anwendungsbereichen gehören neben 28-V-Automobilsystemen auch Motorantriebe, Schaltnetzteile und Lastschalter.

Zum Portfolio der U-MOSFET-H-Serie mit 80V für den Automobilbereich gehört auch das Modell XPQR8308QB mit L-TOGL-Gehäuse und hoher Wärmeableitung.