650V-Superjunction-Leistungs-MOSFETs im TOLL-Gehäuse

PRODUKT NEWS

Toshiba Electronics Europe GmbH hat fünf 650V-Superjunction-Leistungs-MOSFETs im SMD-Gehäuse im TO-Leadless-Format (TOLL) vorgestellt. Mit 9,9mm x 11,68mm x 2,3mm (BxLxH) bieten die TK065U65Z, TK090U65Z, TK110U65Z, TK155U65Z und TK190U65Z laut Hersteller eine um 27% kleinere Stellfläche als ein D2PAK-Gehäuse. 



Das Angebot wurde um Produkte der DTMOS-VI-Serie mit einem Durchlasswiderstand bis hinab zu 65mΩ erweitert. Darüber hinaus bietet das 4-Pin-Gehäuse optional eine Kelvin-Source, mit der sich der Einfluß der parasitären Induktivität des Source-Anschlusses im Gehäuse verringern und die Schalteffizienz durch Unterdrückung von Schwingungen verbessern lässt. Im Vergleich zum TK090N65Z mit gleicher Spannung und gleichem Durchlasswiderstand, der im TO-247-Gehäuse ohne Kelvin-Anschluss bereitsteht, weist der TK090U65Z bis zu 68% geringere Einschaltverluste auf – und die Ausschaltverluste fallen um 56% geringer aus.

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