Das TOLL-Gehäuse bedingt eine geringere Gehäuse-Induktivität (2nH) als ein 7-Pin-D2PAK. Die Kelvin-Source-Konfiguration sorgt laut Anbieter für geringeres Gate-Rauschen und niedrigere Schaltverluste – einschließlich weniger Einschaltverluste (EON).
Der erste SiC-MOSFET der Serie im TOLL-Gehäuse ...
ist der NTBL045N065SC1, der für Schaltnetzteile (SMPS), Server- und Telekommunikations-Netzteile, Solarwechselrichter, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) und Energiespeicher vorgesehen ist. Der Baustein eignet sich für Designs, die Effizienzstandards wie ErP und 80 PLUS Titanium erfüllen müssen.
Der Baustein hat eine UDSS-Spannung von 650V mit einem typischen RDS(on) von 33mΩ und einem maximalen Drain-Strom (ID) von 73A. Basierend auf der Wide-Bandgap-/WBG-SiC-Technologie bietet der Baustein eine maximale Betriebstemperatur von 175°C und eine Gate-Ladung (QG(tot) = 105 nC). Das Gehäuse ist als MSL 1 (Moisture Sensitivity Level; Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe 1) eingestuft.
