Die drei Siliziumkarbid MOSFETs mit 650V haben die Namen TW027U65C, TW048U65C und TW083U65C und befinden sich in einem oberflächenmontierten TOLL-Gehäuse. Sie eignen sich für Schaltnetzteile in Servern, Rechenzentren und Kommunikationsgeräten, unterbrechungsfreie Stromversorgungen, Ladestationen für Elektrofahrzeuge und Spannungsstabilisatoren für Photovoltaik-Wechselrichter.

Im Vergleich zu Gehäusen mit Lead-Frame wie TO-247 und TO-247-4L(X) reduzieren die Bauteile laut Hersteller das Volumen um über 80 %. Diese Miniaturisierung trägt zu einer verbesserten Leistungsdichte der Geräte bei. Die Oberflächenmontierbarkeit des TOLL-Gehäuses ermöglicht die Verwendung kleinerer Bauteile mit parasitärer Impedanz (u. a. Widerstände und Induktoren), was geringere Schaltverluste bewirkt.

Alle Varianten verfügen über eine absolute maximale Drain-Source-Spannung (VDSS) von 650V und einen Gate-Source-Spannungsbereich (VGSS) von -10V bis 25V. Die Gate-Schwellenspannung (Vth) der Bauteile liegt typischerweise im Bereich von 3V bis 5V

Das TOLL-Gehäuse …

ist ein 9poliges Gehäuse mit vier Anschlüssen, das die Verwendung eines Kelvin-Anschlusses für den Signalquellen-Anschluss des Gate-Treibers ermöglicht. Diese Bauweise minimiert den Einfluss der Induktivität im Source Bonding innerhalb des Gehäuses und ermöglicht eine hohe Schaltgeschwindigkeit. So erzielt beispielsweise beim TW048U65C eine Reduzierung der Einschaltverluste (Eon) um ca. 55% und der Ausschaltverluste (Eoff) um ca. 25% gegenüber dem gleichwertigen Produkt von Toshiba, das mit einem TO-247-Gehäuse ohne Kelvin-Anschluss ausgestattet ist.