650-V-SiC-MOSFETs im DFN8x8-Gehäuse

STROMVERSORGUNG

Von Toshiba Electronics Europe gibt es 650-V-Siliziumkarbid (SiC)-MOSFETs der 3. Generation im DFN8x8-Gehäuse für Industrieanwendungen.



Die Modelle TW031V65C, TW054V65C, TW092V65C und TW123V65C sind für Schaltnetzteile (SMPS), Ladestationen für Elektrofahrzeuge (EV), unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) und Photovoltaik (PV)-Wechselrichter vorgesehen.

Das oberflächenmontierte DFN8x8-Gehäuse reduziert das Volumen um mehr als 90% im Vergleich zu erhältlichen Gehäusen mit Lead-Frame, wie z. B. TO-247 und TO-247-4L(X). Das erhöht die Leistungsdichte der Schaltung und ermöglicht eine automatisierte Montage.

Darüber hinaus ist der MOSFET mit einem Kelvin-Anschluss ausgestattet, der den Einfluss der Induktivität im Source Anschluß reduziert.