Der erste Leistungs-MOSFET der Serie DTMOS VI ist der TK040N65Z, ein 650V-Baustein, der Drain-Dauerströme bis zu 57A und gepulst bis 228 A unterstützt. Er bietet einen Drain-Source-Durchlasswiderstand RDS(ON) von 0,04 Ω (typ. 0,033 Ω).
Der Wirkungsgrad der Stromversorgung verbessert sich durch den geringeren RDS(ON) x Qgd Wert. Der TK040N65Z zeigt bei dieser Kennzahl eine Verbesserung von 40% gegenüber dem Vorgänger DTMOS IV-H, was einen Gewinn von 0,36% beim Wirkungsgrad einer Stromversorgung darstellt – gemessen in einem 2,5kW-PFC-Schaltkreis.
Der Leistungs-MOSFET wird im TO-247-Standardgehäuse ausgeliefert.
