650-V-GaN-FETs für industrielle Einphasen-AC/DC- und DC/DC-Schaltnetzteile

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Die 650-V-Power-GaN-FETs der zweiten Generation (H2) bietet Nexperia ab sofort in Produktionsstückzahlen an. Die FETs bieten RDS(on)-Widerstände ab 35 mΩ (typ.) und eignen sich für industrielle Einphasen-AC/DC- und DC/DC-Schaltnetzteile (SMPS) mit Ausgangsleistungen von 2kW bis 10kW.



Die Bausteine sind unter anderem für Server- und Telekom-Stromversorgungen vorgesehen, welche die Energieeffizienz-Anforderungen nach 80 PLUS Titanium erfüllen müssen. Darüber hinaus sind Solar-Wechselrichter und Servomotoren in dem genannten Leistungsbereich mögliche Einsatzsegmente.

Die GaN-FETs befinden sich im TO-247-Gehäuse und können für eine Totem-Pole-Schaltung ohne Diodengleichrichter genutzt werden. Die GaN-FETs der Serie GAN041-650WSB sind ab sofort in Produktionsstückzahlen lieferbar.

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