Der nichtflüchtige Speicherbaustein hat eine Speicherkapazität von 64Kb und eine Taktrate von 1MHz. Der Stromverbrauch beträgt typisch 0,5mA.
Das SRAM ist intern als 8k Worte x 8 Bit organisiert. Jede SRAM-Speicherzelle integriert ein nicht-flüchtiges SONOS Speicherelement, das die Speicherung aller Daten bei einem unvorhersehbaren Abfall der Betriebsspannung sicherstellt. Fällt die Betriebsspannung unter einen definierten Wert ab, werden die Daten im automatischen Self-Timed PowerStore-Betrieb in nicht-flüchtigen Speicherzellen gespeichert.
Anvo-Systems liefert das ANV32A62ASE1 in einem 8 Pin 150mil SOIC-Gehäuse. Das Bauteil ist für eine Betriebsspannung von 3,3V ausgelegt.