Samsung Electronics hat mit der Massenproduktion eines Toggle DDR 2.0 Multi-Level-Cell (MLC) Speicherchips begonnen. Der NAND-Flash-Chip verfügt über ein Speichervolumen von 64 Gigabit und wird in einer 20-Nanometer-Class-Prozesstechnologie hergestellt. Entwickelt wurde der Speicher für Smartphones und Tablet-PCs sowie für Solid State Drives (SSDs).
Ausgestattet mit einer Toggle DDR (Double Data Rate) 2.0 Schnittstelle kann er Daten mit einer Bandbreite von bis zu 400MBps (Megabyte pro Sekunde) übertragen. Dies entspricht einer zehnfachen Geschwindigkeitssteigerung gegenüber Single-Data-Rate (SDR) NAND-Flash-Speichern mit 40MBps. Verglichen mit 133MBps Toggle DDR 1.0 NAND-Flash-Speichern mit 32Gb, welche Samsung 2009 einführte, bieten die 64GB-MLC-Speicherchips eine drei Mal höhere Übertragungsrate.
Laut IHS iSuppli wird der weltweite Markt für NAND Flash Speicher auch in Zukunft stetig weiter wachsen. Ausgehend von etwa 11 Mrd. 1 Gigabyte (GB) äquivalenten Einheiten im Jahr 2010 wird das Marktvolumen bis 2015 auf 94 Mrd. 1GB-Äquivalente anwachsen. Das entspricht einem Wachstum von durchschnittlich 54 Prozent pro Jahr.
Ferner rechnet man damit, dass 2012 NAND Flash Speicher mit 64GB oder mehr etwa 70 Prozent der gesamten NAND Flash Memory Verkäufe ausmachen. Dies ist eine enorme Steigerung gegenüber den 3 Prozentpunkten im Jahr 2010.
