Die Bauteile sind unter anderem in SMD QDPAK-, TOLL- und ThinTOLL 8x8-Gehäusen verfügbar. Bei 10V bieten die 600-V-CoolMOS 8-SJ-MOSFETs laut Hersteller eine um 18% niedrigere Gate-Ladung (Q g) als die CFD7-Serie und eine um 33% niedrigere Gate-Ladung als die P7-Serie. Bei 400V bieten sie eine 50% niedrigere Ausgangskapazität COSS als die CFD7- und P7-Familie. Außerdem wurden die Abschaltverluste im Vergleich zu CFD7 und P7 um 12% reduziert. Die Sperrverzögerungsladung (Q rr) ist im Vergleich zu CFD7 um 3% geringer. Die thermische Performance wurde im Vergleich zur vorherigen Generation um 14 bis 42% verbessert.
Die Bausteine können in Soft-Switching-Topologien wie LLC- und ZVS-phasenverschobenen Vollbrückentopologien eingesetzt werden. Außerdem in PFC-, TTF- und anderen Hard-Switching-Topologien.
