Die Serie von n-Kanal-Leistungs-MOSFETs umfasst jetzt die 600-V-DTMOS-VI-Reihe mit dem Baustein TK055U60Z1, der auf einer Prozessgeneration mit Superjunction-Struktur basiert.
Technische Details
Der MOSFET eignet sich für schnell schaltende Anwendungen wie DC/DC-Wandler, Schaltnetzteile, PFC-Schaltungen und Photovoltaik-Inverter. Der RDS(on) beträgt 55mΩ, die maximale Kanaltemperatur (Tch) beträgt 150 Grad C. Die Gesamt-Gate-Ladung (Qg), Gate-Drain-Ladung (Qgd) und Eingangskapazität (Ciss) betragen 65nC, 15nC bzw. 3680pF.
Ansteuerung über Kelvin-Source-Pin
Die MOSFETs werden im TOLL-Gehäuse ausgeliefert, das mit einem Kelvin-Source-Pin bestückt. Dadurch wirkt sich die Induktivität der Source-Leitung weniger stark aus, was die Schaltschwingungen reduziert und die Schaltleistung verbessert, wenn der MOSFET mit hohen Gate-Geschwindigkeiten arbeitet.
Die Ausformung der Anschluss-Pins ermöglicht eine sichere Lötverbindung. Außerdem wird die visuelle Inspektion erleichtert, was für die Qualitätskontrolle wichtig ist.
Verfügbarkeit
Toshiba plant, die 600-V- und 650-V-DTMOS-VI-Serien mit weiteren Bausteinen zu ergänzen. Der TK055U60Z1 ist ab sofort bei GLYN verfügbar. Es können auch Entwicklungsmuster angefragt werden.
