600-V-MOSFETs für statische Schaltanwendungen

PRODUKT NEWS



Infineon erweitert seine 600 V CoolMOS S7-Familie um zwei, für statische Schaltanwendungen optimierte Bauteile: den CoolMOS S7 10mΩ für den industriellen und den CoolMOS S7A für den automobilen Bereich.

Der CoolMOS S7 10mΩ hat einen niedrigen Durchlasswiderstand (R DS(on)). Er ist damit laut Hersteller ideal für Anwendungen, bei denen es auf minimale Leitungsverluste ankommt, wie beispielsweise bei handelsüblichen Solid-State-Relais (SSR). Der CoolMOS S7A richtet sich an die Anforderungen bei der Systemleistung von Solid-State-Schutzschaltern (SSCB) und Diodenparallelschaltungen/-ersatz für Hochleistungs-/Leistungsdesigns in Automotive-Anwendungen. Hierzu gehören zum Beispiel Hochspannungs (HV)-eFUSE, Batterietrennschalter HV eDisconnect sowie Onboard-Ladegeräte.

Die CoolMOS S7 10 mΩ- und CoolMOS S7A-Chips verfügen laut Hersteller über den niedrigsten RDS(on) auf dem Markt und die besten RDS(on) x A x Kosten. Darüber hinaus wurden sie in ein oberseitengekühltes (top-side cooled, TSC) QDPAK-SMD-Gehäuse eingepasst. Darüber hinaus kann die Bauteilhöhe mit dem Wechsel von THD zu SMD mit QDPAK um 94 Prozent reduziert werden.
 

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