17.07.2019

600-V-Dreiphasen-Gatetreiber

Der Dreiphasen-Gatetreiber STDRIVE601 von STMicroelectronics für 600 V N-Kanal-Leistungs-MOSFETs und IGBTs zeichnet sich laut Hersteller durch die Beständigkeit gegen negative Spannungsspitzen bis -100V aus und reagiert in 85ns auf Logikeingänge.


Bild: STMicroelectronics

Mit seinen Smart-Shutdown-Schaltungen schaltet der STDRIVE601 nach dem Detektieren einer Überlastung oder eines Kurzschlusses die Gatetreiber-Ausgänge umgehend für eine Zeitdauer ab, die durch eine externe Widerstands-Kondensator-Kombination bestimmt wird. Entwickler können die erforderliche Abschaltdauer bei Bedarf mit großen R- und C-Werten festlegen, ohne dass sich dies auf die Ansprechzeit der Abschaltfunktion auswirkt. Zum Signalisieren von Fehlern ist darüber hinaus ein Aktiv-Low-Ausgang vorhanden.

 

Sämtliche Ausgänge verkraften als Senke 350mA und als Quelle 200mA und unterstützen eine Gatetreiberspannung von 9V bis 20V zum Ansteuern von N-Kanal-Leistungs-MOSFETs und IGBTs. Aufeinander abgestimmte Signallaufzeiten der Low-Side- und High-Side-Sektionen vermeiden eine Verzerrung des Schaltzyklus und ermöglichen einen hochfrequenten Betrieb. Die Interlocking-Funktion und die eingefügte Totzeit unterbinden ferner das Entstehen von Querströmen.

 

Der mit dem BCDS6-Offlineprozess von ST hergestellte STDRIVE601 kann an Logik-Versorgungsspannungen bis zu 21V betrieben werden und verkraftet eine high-seitige Bootstrap-Spannung bis zu 600V. Durch die Unterspannungs-Sperre (Under-Voltage Lockout, UVLO) im Low-Side- und High-Side-Treiberabschnitt wird verhindert, dass die Leistungsschalter unter ineffizienten oder gefährlichen Bedingungen arbeiten.

 

Das Evaluation Board EVALSTDRIVE601 hilft Anwendern, die vom STDRIVE601 gebotenen Features kennen zu lernen und Prototypen anzufertigen und zum Laufen zu bringen.

 

Das IC des Typs STDRIVE601 wird bereits produziert. Er besitzt ein SO28-Gehäuse und kostet 1,13 US-Dollar (ab 1.000 Stück).


 


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