-60-V-P-Kanal-MOSFETs für Automotive-Anwendungen

STROMVERSORGUNG

Toshiba Electronics Europe stellt zwei weitere -60-V-P-Kanal-MOSFETs vor, die auf dem eigenen U-MOS-VI-Prozess basieren. Die Bauelemente sind für den Einsatz in Lastschaltern, Halbleiterrelais und Motorantrieben in Automotive-Anwendungen geeignet.



Die MOSFETs XPH8R316MC und XPH13016MC sind AEC-Q101-qualifiziert und werden sie im SOP-Advance(WF)-Gehäuse ausgeliefert, einer SMD-Bauform mit Wettable-Flank-Anschlüssen. Das erleichtert die automatische optische Inspektion (AOI) der Lötstellen, was für Anwendungen in der rauen Fahrzeugumgebung nützlich ist. Eine Kupferverbindung innerhalb des Gehäuses soll den Gehäusewiderstand verringern und die Wärmeentwicklung reduzieren.

Der XPH8R316MC ist für einen kontinuierlichen Drainstrom (ID) von -90A und der XPH13016MC für -60A ausgelegt. Der gepulste Drainstrom (IDP) ist mit -180A bzw. -120A doppelt so hoch. Beide Bausteine sind für eine Drain-Source-Spannung (UDSS) von -60V ausgelegt und können bei Kanaltemperaturen (Tch) von bis zu 175°C betrieben werden.

Der maximale Durchlasswiderstand (RDS(ON)) des XPH8R316MC beträgt 8,3mΩ und ist damit etwa 25% niedriger als beim bisherigen TPCA8123 von Toshiba. Der XPH13016MC bietet hier einen Wert von 12,9mΩ, der in etwa 49 % niedriger ist als beim TPCA8125.

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