13.08.2019

60-V-Leistungs-MOSFET im 3mm x 3mm Gehäuse

Vishay präsentiert einen, für Standard-Gate-Treiber-Anwendungen optimierten 60-V-TrenchFET-n-Kanal-Leistungs-MOSFET im thermisch optimierten 3,3 mm x 3,3 mm großen PowerPAK-1212-8S-Gehäuse.


Bild: Vishay

Laut Vishay weist der MOSFET als weltweit erstes Bauteil dieser Art bei 10V Gate-Spannung einen maximalen On-Widerstand von 4 mOhm auf. Der SiSS22DN hat eine Gate-Ladung von 22,5nC und eine ähnlich geringe Ausgangsladung (QOSS).

 

Anders als 60-V-Leistungs-MOSFETs, die für Ansteuerung mit Logikpegel vorgesehen sind, wurden die typischen VGS(th)- und Miller-Plateau-Spannungen des SiSS22DN für Schaltungen mit Gate-Treiberspannungen größer als 6V ausgelegt. Dadurch bietet das Bauteil dynamische Eigenschaften, die kurze Totzeiten ermöglichen und den Shoot-through-Effekt in Synchrongleichrichter-Anwendungen verhindern.

 

Die Eigenschaften des SiSS22DN wurden laut Vishay sowohl auf minimale Durchlass- als auch minimale Schaltverluste optimiert. Das soll zu einem höheren Wirkungsgrad in unterschiedlichen Funktionsblöcken eines Power-Management-Systems führen, darunter Synchrongleichrichter in AC/DC- und DC/DC-Topologien, primärseitige Schalter in DC/DC-Wandlern, Halbbrücken-MOSFET-Leistungsstufen in Buck-Boost-Wandlern und OR-Funktionalität in Telekom- und Server-Netzteilen, Motorsteuerungen und Schutzschaltungen in Elektrowerkzeugen und Industrieausrüstung sowie Batterieschutz- und Ladeschaltungen in Batterie-Management-Modulen.

 

Vishay teilt mit, dass die Lieferzeit von der aktuellen Marktsituation abhängig ist und derzeit etwa 30 Wochen beträgt


 


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