10.09.2019

40V und 60V Dual N-Kanal Leistungs-MOSFETs




Bild: Taiwan Semiconductor

Taiwan Semiconductor erweitert sein Produktportfolio mit Dual N-Channel Power MOSFETs im PDFN56 Dual Gehäuse (TSM110NB04DCR, TSM150NB04DCR, TSM250NB06DCR, TSM300NB06DCR). Erhältlich sind die MOSFETs mit 40V bzw. 60 V, 25 bis 38A und einem RDSON von 15 bis 30mΩ. Die maximale Sperrschichttemperatur liegt bei 150°C. Zu den Anwendungsbereichen zählen die BLDC-Motorsteuerung, das Power-Management von Batterien sowie der Einsatz in DC/DC-Wandler oder zur sekundären Synchrongleichrichtung.


 


--> -->