10.09.2019

40V und 60V Dual N-Kanal Leistungs-MOSFETs




Bild: Taiwan Semiconductor

Taiwan Semiconductor erweitert sein Produktportfolio mit Dual N-Channel Power MOSFETs im PDFN56 Dual Geh√§use (TSM110NB04DCR, TSM150NB04DCR, TSM250NB06DCR, TSM300NB06DCR). Erh√§ltlich sind die MOSFETs mit 40V bzw. 60 V, 25 bis 38A und einem RDSON von 15 bis 30m‚Ą¶. Die maximale Sperrschichttemperatur liegt bei 150¬įC. Zu den Anwendungsbereichen z√§hlen die BLDC-Motorsteuerung, das Power-Management von Batterien sowie der Einsatz in DC/DC-Wandler oder zur sekund√§ren Synchrongleichrichtung.


 


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