24.01.2020

40V N-Kanal MOSFETs

Die SiSS12DN 40V N-Channel MOSFETs von Vishay (Vertrieb: Rutronik) zielen darauf ab, die Leistungsdichte und Effizienz für Leistungsumwandlungs-Topologien zu erhöhen. Sie werden im 3,3mm x 3,3mm PowerPAK 1212-8S Gehäuse angeboten und verfügen laut Anbieter über die niedrigste mögliche Ausgangsladung (Coss) in der Sub-2-mΩ-Klasse.


Bild: Vishay

Mit ihrem Durchlasswiderstand (RDS(ON)) von 1,98mΩ bei 10V minimieren die SiSS12DN MOSFETs Leitungsverluste. Zudem ermöglichen sie dank niedriger Ausgangsladung (Coss) von 680pF und einer GateLadung (Qg) von 28,7nC Schalter-Topologien mit größerer Leistungsdichte.


 


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