Durch das L-TOGL-Gehäuse und der daraus resultierenden besseren Wärmeableitung können die MOSFETs höhere Ströme handhaben. Sie bieten Drain-Stromwerte von 400A für den XPQR3004PB und 200A für den XPQ1R004PB sowie Durchlasswiderstandswerte von 0,3mΩ für den XPQR3004PB und 1mΩ für den XPQ1R004PB.
Die Source und die externen Anschlüsse ...
werden mit einem Kupferclip direkt miteinander verbunden. Eine Multi-Pin-Struktur für die Source-Leitungen reduziert den Gehäusewiderstand (und die damit verbundenen Verluste) laut Hersteller um etwa 70% im Vergleich zum bestehenden TO-220SM(W)-Gehäuse. Der daraus resultierende Drain-Strom (ID) des XPQR3004PB ist um 60% höher als der des TKR74F04PB, der im TO-220SM(W)-Gehäuse ausgeliefert wird.
Der Wärmewiderstand ...
zwischen Sperrschicht und Gehäuse beträgt 0,2°C/W für den XPQR3004PB und 0,65°C/W für den XPQ1R004PB. Beide Bausteine sind für den Einsatz in Automotive-Anwendungen bei Temperaturen bis zu 175°C vorgesehen und AEC-Q101-qualifiziert. Ihre Gull-Wing-Anschlüsse reduzieren Belastungen bei der Montage und ermöglichen eine visuelle Inspektion.
