40-V-Power-MOSFET verträgt Dauerströme bis 194 A

STROMVERSORGUNG

Die Power-MOSFET-Familie OptiMOS Source-Down wurde von Infineon um einen 40-V-Baustein im PQFN-Gehäuse erweitert.



Der Niederspannungs-Leistungs-MOSFET OptiMOS für 40V ist im Source-Down-(SD)-PQFN-Gehäuse mit einer Grundfläche von 3,3mm x 3,3mm untergebracht. Der MOSFET eignet sich für Schaltnetzteile im Bereich Server, Telekommunikation und ORing sowie für Anwendung im Bereich Batterieschutz, Elektrowerkzeuge und Ladegeräte.


Das Silizium im SD-Gehäuse ...

im Inneren des Bauteils wurde umgedreht. Dadurch wird das Source-Potenzial über das Thermal-Pad mit dem PCB verbunden anstelle des Drain-Potentials. Das führt laut Infineon im besten Fall zu einer Reduzierung des R DS(on) um bis zu 25 Prozent im Vergleich zur jetzigen Technologie. Auch der thermische Widerstand zwischen Junction to Case (R thJC) ist im Vergleich zu traditionellen PQFN-Gehäusen verbessert. OptiMOS ist in der Lage, Dauerströmen von bis zu 194A standzuhalten.

Der Baustein ist in den zwei Versionen Standard und Center-Gate erhältlich. Die Center-Gate-Variante ist für den Parallelbetrieb mehrerer Bausteine optimiert. Beide Varianten im PQFN-Gehäuse mit 3,3mm x 3,3mm können ab sofort bestellt werden.

Fachartikel