Zu den drei 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs gehören das bereits verfügbare Modell XPMR5904PB sowie die neuen Varianten XPMR7404PB und XPMR8504PB, die in Kürze erhältlich sein sollen.

Die Bauteile basieren auf dem neu eingeführten SOP-Advance(EWF)-Gehäuse und sind für Automobilanwendungen wie Wechselrichter, Halbleiterrelais, Lastschalter und Motorantriebe vorgesehen.

Technische Details

• Ein Merkmal des XPMR5904PB ist die Verwendung des SOP-Advance(EWF)-Gehäuses mit innovativer Kupferclip-Struktur. Dabei werden Chip und Leadframe intern ohne Lötverbindung über eine Kupferklemme miteinander verbunden. Dieser optimierte Aufbau reduziert den elektrischen Widerstand im Strompfad. Zusätzlich verfügt das Bauteil über eine erweiterte Source-Verbindungsstruktur, die die Source-Anschlüsse auf der Rückseite des Gehäuses miteinander verbindet und so die Kontaktfläche zum Leiterplatten-Footprint vergrößert.
• Durch diese strukturellen Optimierungen kann eine größere Chipfläche integriert werden, was die Stromtragfähigkeit verbessert. Der XPMR5904PB erreicht einen nominalen Drain-Gleichstrom bis 180A.
• Im Vergleich zum bestehenden Modell XPHR7904PS bietet der XPMR5904PB eine Reduzierung des Drain-Source-On-Widerstands (RDS(ON)) um rund 25% sowie eine Verringerung der thermischen Impedanz zwischen Kanal und Gehäus (Zth(ch–c)) um etwa 38%. Diese Verbesserungen führen zu geringeren Leistungsverlusten.

Das neue Gehäuse

Das SOP-Advance(EWF)-Gehäuse wurde als SMD (Surface Mount Device) mit Lötmenisken ausgeführt, um die automatisierte optische Inspektion (AOI) zu erleichtern. Die Bauteile erfüllen laut Hersteller die Anforderungen des AEC-Q101-Standards.