30-V-p-Kanal-MOSFET mit RDS(ON) von 1,7mOhm

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Vishay Si R A99 D P
©Vishay

Vishay präsentiert den nach eigener Angabe weltweit ersten –30-V-p-Kanal-Leistungs-MOSFET mit einem On-Widerstand von 1,7mΩ bei 10 V Gate-Spannung. Das Bauteil SiRA99DP misst 6,15mm x 5,15mm und befindet sich in einem PowerPAK-SO-8-Single-Gehäuse.

Der MOSFET hat eine Gate-Ladung von 84nC. Daraus resultiert ein FOM-Wert (Produkt aus Gate-Ladung und RDS(ON)) von 185 mΩ*nC. Der SiRA99DP MOSFET eignet sich laut Hersteller für Schaltungen mit 12V Betriebsspannung. Er wurde optimiert für Anwendungen wie Netzadapter, Batterie- und Universal-Leistungsschalter; Verpolungsschutz; OR-Verknüpfung von Betriebsspannungen; und Motorsteuerungen in Telekom-Applikationen, Servern, Industrie-PCs und Robotern.

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