30-V-MOSFET-Halbbrücken-Leistungsstufe

PRODUKT NEWS

Vishay bringt eine 30-V-n-Kanal-MOSFET-Halbbrücken-Leistungsstufe, die einen High-Side-TrenchFET-MOSFET und einen Low-Side-SkyFET-MOSFET plus eine integrierte Schottky-Diode in einem 3,3mm x 3,3mm großen PowerPAIR-Gehäuse vereint.



Die für Spannungswandler-Anwendungen vorgesehene Halbbrücken-Leistungsstufe SiZF300DT zeichnet sich laut Hersteller durch höhere Leistungsdichte und höheren Wirkungsgrad aus.

Beide MOSFETs in dem Dual-Bauteil sind intern zu einer Halbbrückenschaltung verbunden. Der Kanal-1-MOSFET hat einen maximalen On-Widerstand von 4,5 mOhm bei 10V Gate-Source-Spannung bzw. 7,0mOhm bei 4,5V. Der Kanal-2-MOSFET hat einen maximalen On-Widerstand von 1,84mOhm bei 10V bzw. 2,57mOhm bei 4,5V. Die typische Gate-Ladung der MOSFETs beträgt 6,9nC bzw. 19,4 nC.

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