Die XHP 2-Leistungsmodule wurden um Varianten mit CoolSiC MOSFETs 2300V für Hochspannungs-Energiesysteme erweitert. Die Bauteile unterstützen Zwischenkreisspannungen bis 1500V. Sie sind in mehreren Varianten erhältlich und bieten Einschaltwiderstände (RDS(on)) von 1mΩ bis 2mΩ sowie Isolationsspannungen von wahlweise 4kV oder 6kV.

Durch die Siliziumkarbid (SiC)-Technologie reduzieren sie laut Hersteller sowohl Schalt- als auch Leitverluste gegenüber herkömmlichen siliziumbasierten Lösungen. Dadurch lassen sich Wechselrichter mit höherer Effizienz und Leistungsdichte realisieren oder höhere Schaltfrequenzen einsetzen, um Oberschwingungen zu minimieren und die Systemgröße zu reduzieren.

Die Module eignen sich für Anwendungen im Bereich der erneuerbaren Energien, darunter Windkraft-, Photovoltaik- und Batteriespeichersysteme.

Technische Details

• Die Module im XHP 2-Gehäuse weisen ein symmetrisches Schaltverhalten aus, das ein Parallelschalten in großen Leistungsumrichtern ermöglicht.
• Als standardisierte Plattform erlauben sie Anpassungen an die jeweiligen Anwendungsanforderungen.
• Alle Varianten verfügen über die.XT-Verbindungstechnologie von Infineon.
• Die Module sind mit einem bereits aufgebrachten Wärmeleitmaterial erhältlich.
• In einem Windkraft-Demonstrationssystem wurde eine Leistungsdichte von 300 kW/L erreicht, während Tests in Batteriespeichersystemen Halbleiterverluste von weniger als 0,7 Prozent der Ausgangsleistung zeigten.

Verfügbarkeit

Die XHP 2 CoolSiC MOSFET-Module mit einer Nennspannung von 2300V (FF1000UXTR23T2M1, FF1300UXTR23T2M1, FF2000UXTR23T2M1 und FF1000UXTR23T2M1_B5) sind jetzt erhältlich.