2200-V-SiC-MOSFETs

STROMVERSORGUNG

Toshiba Electronics Europe stellt einen Siliziumkarbid-/SiC-MOSFET mit einer Nennspannung von 2200V und integrierter Schottky-Barrier-Diode (SBD) für 1500-VDC-Anwendungen vor.



Der MOSFET eignet sich z. B. für Solar-Wechselrichter, Ladegeräte für Elektrofahrzeuge (EV), hochfrequente DC/DC-Umrichter und Energiespeichersysteme.

Das Halbbrücke-SiC-MOSFET-Modul (MG250YD2YMS3) hat eine UDSS-Nennspannung von 2200V und unterstützt einen kontinuierlichen Drain-Strom (ID) von 250 und 500A im gepulsten Betrieb (IDP). Die Isolationsspannung (Uisol) beträgt 4000Veff, und der Baustein lässt sich bei Kanaltemperaturen (Tch) von bis zu 150 C betreiben.

Der Baustein bietet eine Drain-Source-Spannung (UDS(on)sense) von 0,7V. Die Schaltverluste sind mit Ein- und Ausschaltverlusten von 14 bzw. 11mJ spezifiziert.

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