Der Ultra-Junction-Power-MOSFET MMIX1T500N20X4 der Klasse X4 ist ein 200-V-N-Kanal-MOSFET mit 480A und einen Durchlasswiderstand (RDS(on) von 1,99mΩ.
Der Baustein nutzt ein keramikbasiertes, isoliertes SMPD-X-Gehäuse mit Kühlung an der Oberseite für das Wärmemanagement. Im Vergleich zu bestehenden MOSFET-Lösungen der X4-Klasse bietet das Gerät laut Hersteller bis zu doppelt so hohe Nennströme und einen um bis zu 63% niedrigeren RDS(on). Somit können mehrere parallel geschaltete Niedrigstromgeräte in einer Hochstromlösung konsolidiert werden.
Technische Details
- 200V Sperrspannung, RDS(on) von 1,99mΩ.
- Strombelastbarkeit ID = 480A
- SMPD-X-Gehäuse mit 2500V Isolation und Wärmewiderstand Rth(j-c) = 0,14 °C/W
- Gate-Ladung Qg = 535nC
- Wärmemanagement durch oberseitig gekühltes Gehäuse
- Der MMIX1T500N20X4 ist in Röhren zu 20 Stück oder im Band- und Rollenformat in Mengen von 160 Stück erhältlich.
Anwendungen
- DC-Lastschalter
- Batterie-Energiespeichersysteme
- Industrielle und Prozessstromversorgungen
- Industrielle Ladeinfrastruktur
- Drohnen und Plattformen für Senkrechtstart und -landung (VTOL)
