Die Technologie weist laut Hersteller eine ausreichende Überspannungsmarge afs und bietet im Vergleich zu SiC-MOSFETs der Spannungsklasse 1700V eine zehnmal geringere durch kosmische Strahlung verursachte Fehler-Rate (FIT).
Der SiC-MOSFET-Chip basiert auf der herstelleigenen SiC-MOSFET-Technologie namens M1H. Die Weiterentwicklungen ermöglichen ein erweitertes Gate-Spannungsfenster, das den On-Widerstand bei gegebener Chipgröße verbessert. Die 2-kV-SiC-MOSFETs wird durch EiceDRIVER Gate-Treiber mit einer funktionalen Isolation bis zu 2,3kV unterstützt.
Verfügbarkeit
- Muster der 2kV CoolSiC-MOSFETs sind ab sofort in EasyPACK-3B- und 62-mm-Modulen verfügbar und in Kürze auch in einem diskreten TO247-PLUS-Gehäuse für hohe Spannungen. Zusätzlich bietet Infineon ein Design-in-Ökosystem mit einem 2,3-kV-isolationsgeprüften EiceDRIVER an.
- Der Produktionsstart des Easy 3B (DF4-19MR20W3M1HF_B11), eines Leistungsmoduls mit 4 Boost-Schaltungen, das als MPPT-Stufe im 1500-V-PV-Stringwechselrichters fungiert, ist für Q3/2022 geplant. Das 62-mm-Modul in Halbbrückenkonfiguration (3, 4, 6mΩ) folgt in Q4/2022.
- Die diskreten Bauteile mit XT-Verbindungstechnologie werden Ende 2022 verfügbar sein.
