Der EPC2370 basiert auf der siebten GaN-Generation des Herstellers und ist insbesondere für die synchrone Gleichrichtung bei 6V Ausgangsspannung vorgesehen. Als Einsatzfälle werden 48V-zu-6V- und 800V-zu-6V-Leistungswandler mit Mittelpunktsschaltung angegeben. Der Transistor bietet einen typischen Einschaltwiderstand von 0,28mΩ, eine Dauerstrombelastbarkeit von 101A und ist für Schaltfrequenzen von 1MHz oder mehr ausgelegt.
Die kontinuierliche Spannungsfestigkeit beträgt 18V, für Transienten sind 22V spezifiziert. Damit kann der Baustein laut Hersteller MOSFETs mit Spannungsfestigkeiten bis 25V ersetzen. Die Gate-Ladung beträgt 26nC.
Untergebracht ist der GaN-FET in einem 3,3mm × 3,3mm großen PQFN-Gehäuse mit beidseitiger Kühlung. Für Leistungswandler gibt EPC Spitzenwirkungsgrade von 98% sowie Wirkungsgrade von 97% bei Volllast an.
Technische Daten
- Dauer-Spannungsfestigkeit: 18V
- Transiente Spannungsfestigkeit: 22V
- Dauerstrom: 101A
- Typischer Rdson: 0,28mΩ
- Gate-Ladung: 26nC
- Schaltfrequenz: 1MHz oder höher
- Gehäuse: 3,3mm × 3,3mm PQFN
- Kühlung: Beidseitig
- Ausgangsspannung der vorgesehenen Wandler: 6V
- Spitzenwirkungsgrad laut Hersteller: 98%
- Wirkungsgrad bei Volllast laut Hersteller: 97%
Entwicklungsunterstützung
Für die Evaluierung steht das EPC90168 Evaluation Board zur Verfügung. Die 2 Zoll × 2 Zoll große Platine enthält zwei EPC2370, die als Halbbrücke verschaltet sind, sowie die erforderlichen Komponenten und ein für das Schaltverhalten optimiertes Layout. Mehrere Messpunkte ermöglichen die Erfassung von Signalverläufen und die Untersuchung des Wirkungsgrads.
Der EPC2370 hat bei einer Abnahmemenge von 1.000 Stück einen Preis von 2,52 US$ pro Bauteil; das EPC90168 Evaluation Board kostet 260 US$.
Wo braucht man das?
Vorgesehen ist der GaN-FET für Hochstrom-DC/DC-Wandler in KI-Servern und Server-Stromversorgungen. Weitere Einsatzbereiche sind High-Performance-Computing, Telekommunikationsinfrastruktur, industrielle Stromversorgungssysteme und andere Niederspannungs-Leistungsanwendungen.
