Cree hat eine neue Serie von Dioden mit Gehäuse eingeführt. Die Bauelemente basieren auf SiC-Schottky-Technologie. Die 1700V Z-Rec Schottkydioden eliminieren Sperrverzögerungs-Verluste alternativer Silizium-PiN-Dioden und ermöglichen kompakte und leichte Systeme. Die gehäusten Komponenten eignen sich für Solar-, Motortreiber- und Traktionsanwendungen.
Für Anwender, die ihre eigenen Power-Module entwickeln, gibt es die Bausteine schon seit einiger Zeit als Bare-Die-Versionen. Die neuen Bauelemente im TO-247-2-Gehäuse bringen die Vorteile der SiC-Technologie auch für 1700-V-Designs mit geringer Leistungsaufnahme. Sie bieten mehr Designflexibilität bei der Festlegung der Ströme.
Die SiC-Schottkydioden der Serie C3Dxx170H sind für 10A/1700V bzw. 25A/1700V spezifiziert und werden im Industriestandard-Gehäuse des Typs TO-247-2 angeboten. Der Betriebstemperaturbereich beträgt 55°C bis +175°C.
