Das Schnellladegerät bietet eine zweistufige Hochfrequenz-Leistungstopologie mit Bridgeless Totem Pole PFC und eine Dual-Switch-QR-Flyback-Topologie. Es verwendet den GS-065-011-1-L-Leistungstransistor im 5×6-mm-PDFN-Gehäuse von GaN Systems.
Zu den Eckdaten des Ladegeräts gehören die Unterstützung des USB PD3.1-Schnellladeprotokolls bis zu 28V/5A und ein Wirkungsgrad laut GaN Systems von mehr als 94%.