Der Leistungs-MOSFET basiert auf Siliziumkarbid und bietet eine Eingangskapazität (CISS) von 1680pF (typ.), eine Gate-Eingangsladung (Qg) von 67nC (typ.) und einen Drain-Source-Durchlasswiderstand (RDS(ON)) von 70mΩ (typ.).
Die Gate-Schwellenspannung (Uth) ist hoch eingestellt (im Bereich von 4,2 bis 5,8V), was unbeabsichtigtes oder unerwünschtes Ein-/Ausschalten vermeiden kann. Darüber hinaus trägt die integrierte SiC-Schottky-Barrierediode (SBD) mit einer Durchlassspannung (UDSF) von -1,35V (typ.) dazu bei, Verluste zu verringern. Der MOSFET ist ab sofort im TO-3P(N)-Gehäuse erhältlich und ermöglicht Stromversorgungen in industriellen Anwendungen.
