1200V Dreiphasen-Gate-Treiber

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Infineon erweitert sein EiceDriver-Portfolio mit Levelshift um einen 1200V Dreiphasen-Gate-Treiber. Das Bauteil bietet laut Anbieter gute Immunität bei negativen VS-Transienten, Latch-up-Immunität,  Überstromschutz und die monolithische Integration von Bootstrap-Dioden. 



 

Der Gate-Treiber 6ED2230 mit Levelshift bietet 350mA/650mA Source- und Sink-Stromtreiberfähigkeit und verhindert dank integrierter Totzeit einen Phasen-Kurzschluss. Integriert ist ebenfalls ein Komparator für Überstromschutz mit einer Referenzschwellen-Genauigkeit von +/-5 Prozent. Die integrierten Bootstrap-Dioden des EiceDRIVERs haben einen typischen Widerstand von 40Ω.

Das Bauteil ist imun gegenüber negativer VS-Transientenspannung von -100 V, mit 700 ns langen Impulsen. Das  DSO-24-Gehäuse legt die Nieder- und Hochspannung auf gegenüberliegende Seiten, um die Luft- und Kriechstrecken zu vergrößern.

Der 6ED2230-Treiber wird in einem DSO-24-300-mil-Gehäuse (Größe gemäß Industriestandard DSO-28) mit reduzierter Pin-Anzahl geliefert. Dies führt gemäß Human-Body-Model (HBM) zu einer ESD-Einstufung von 2 kV. 

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