Die SiC-MOSFET-Module befinden sich im NX-Gehäuse mit Abmessungen von 122mm x 62mm. Das NX-Gehäuse gilt als industrieller Standard für robuste und thermisch optimierte Leistungsmodule. Ein Umstieg auf die SiC-Technologie kann somit im 1:1 Austausch ohne Layout-Änderungen erfolgen.
Technische Details
- Die planare G2A-SiC-Generation senkt Schalt- und Leitverluste, Wärmeentwicklung und Energieverbrauch werden reduziert.
- 9nH parasitäre Induktivität ermöglichen präzise, hochfrequente Schaltvorgänge mit stabilen EMV-Verhältnissen insbesondere für medizinische Stromversorgungen.
- Mit 1200V und 1700V bei jeweils 600A lassen sich UPS-Systeme, Energiespeicher und Motorantriebe kompakt und leistungsstark realisieren. Auch Kühlsysteme können kleiner ausfallen.
- Die weiterentwickelte Gate-Oxid-Technologie des Herstellers steigert die Zuverlässigkeit im Dauerbetrieb.
Mögliche Anwendungen
- Stromversorgungssysteme
- Energiespeicher
- Motor- und Industrieantriebe
- Photovoltaik-Wechselrichter
- Ladeinfrastruktur für E-Fahrzeuge
