Infineon erweitert sein CoolSiC Schottky 1200 V Gen5 Dioden-Portfolio um ein TO247-2-Gehäuse. Damit können Siliziumdioden ersetzt und ein höherer Wirkungsgrad erzielt werden. Die Kriech- und Luftstrecken von 8,7 mm bieten zusätzliche Sicherheit in Einsatzgebieten, in denen mit starker Verschmutzung zu rechnen ist. Für Ladesäulen mit Gleichstrom, Solarsysteme, unterbrechungsfreie Stromversorgungen und andere industrielle Anwendungen stehen Durchlassströme bis zu 40A zur Verfügung.
Im Vergleich zu einer Siliziumdiode steigert die CoolSiC Schottky 1200 V Gen5 Diode laut Hersteller den Wirkungsgrad in Kombination mit Silizium-IGBTs oder Super-Junction-MOSFETs um bis zu einem Prozent. Die Ausgangsleistung der PFC- und DC-DC-Stufen kann so um 40 Prozent oder mehr erhöht werden.
Die SiC-Dioden in einem TO247-2 Pin-Gehäuse können ab sofort bestellt werden. Es stehen fünf Stromklassen zur Verfügung: 10A / 15A / 20A / 30A / 40A
