Die 1200V-EliteSiC-M3S-Bauelemente aus Siliziumkarbid (SiC) umfasst EliteSiC-MOSFETs und -Module für 800-V-Elektrofahrzeug-/EV-On-Board-Ladegeräten (OBC) und Energieinfrastruktur-Anwendungen, wie EV-Lade-, Solar- und Energiespeichersysteme.
Dazu gehören Bausteine in integrierten Halbbrücken-Leistungsmodulen (PIMs) in einem Standard-F2-Gehäuse. Die Module zielen auf industrielle Anwendungen ab und eignen sich für DC/AC-, AC/DC- und DC/DC-Hochleistungswandler. Sie bieten direkt gebondete Kupferdesigns, die eine ausgewogene Strom- und Wärmeverteilung zwischen parallelen Schaltern ermöglichen sollen. Die PIMs sind für hohe Leistungsdichte in Energieinfrastrukturen, DC-Schnellladestationen für EVs und unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV) ausgelegt.
Die Automotive-qualifizierten 1200V-EliteSiC-MOSFETs sind für Hochleistungs-OBCs bis 22kW und DC/DC-Wandler für hohe bis niedrige Spannungen geeignet. Die M3S-Technologie wurde speziell für schnelles Schalten entwickelt.
