1200-V-SiC-MOSFETs im D2PAK-7-Gehäuse

STROMVERSORGUNG AUTOMOTIVE

Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC) mit AEC-Q101-Qualifikation hat Nexperia mit RDS(on)-Werten von 30, 40 und 60mΩ (NSF030120D7A0-Q, NSF040120D7A1-Q, NSF060120D7A0-Q) vorgestellt.



Die 1200-V-SiC-MOSFETs waren bereits Industriequalität erhältlich und wurden nun für den Einsatz im Automobilbereich zertifiziert. Damit eignen sie sich für Anwendungen wie Onboard-Ladegeräte (OBC) und Traktionswechselrichter in Elektrofahrzeugen (EV) sowie für DC-DC-Wandler und Klima- und Heizsysteme (HVAC). Die Bauteile sind im oberflächenmontierbaren D2PAK-7-Gehäuse untergebracht. Es sind RDS(on)-Werte von 30, 40 und 60mΩ verfügbar.

Im Laufe des Jahres 2025 sollen weitere automobilqualifizierte SiC-MOSFETs mit RDS(on)-Werten von 17mΩ und 80mΩ angeboten werden.