Die Leistungsmodule integrieren SiC-MOSFETs mit einem NTC-Thermistor zur Temperaturmessung und intrinsischen SiC-Dioden. Die PressFit-Pins der Module sind in einer Matrix angeordnet, die Industriestandards entspricht.
Der VS-MPY038P120 bietet eine Vollbrücken-Wechselrichtertopologie mit einem Einschaltwiderstand von 38mΩ und einem Dauerstrom von 35A bei +80°C, während der VS-MPX075P120 eine dreiphasige Wechselrichtertopologie mit einem Einschaltwiderstand von 75mΩ und einem Dauerstrom von 18A aufweist. Beide Bausteine bieten eine maximale Betriebstemperatur von +175°C.
1200-V-MOSFET Leistungsmodule
PRODUKT NEWS
