Das Cipos Maxi SiC IPM verfügt über einen auf der Silicon-on-Isolator- (SOI)-Technologie basierenden 6-Kanal 1200-V-Gate-Treiber und sechs CoolSiC MOSFETs. Das DIP 36x23D ist das kleinste Gehäuse für 1200-V-IPMs. Schäden durch Transienten vermeidet der 6-Kanal-SOI-Gate-Treiber des SiC-Leistungsmoduls dank einer integrierten Totzeit. Zusätzlicher Unterspannungsschutz (UVLO) an allen Kanälen sowie Schutzfunktionen gegen Überstromabschaltung runden die Sicherheitsvorkehrungen ab. Ergänzt werden diese durch einen unabhängigen Thermistor zur Temperaturüberwachung.
