1200 V-Leistungsmodule im DIP 36x23D-Gehäuse

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Cipos Maxi SiC IPM ist ein 55 mΩ dreiphasiges CoolSiC MOSFET-basiertes Leistungsmodul von Infineon (Vertrieb: Rutronik) mit offenem Emitter im DIP-Gehäuse. Es bietet eine voll ausgestattete Wechselrichterlösung mit Wärmeleitung sowie Schaltgeschwindigkeiten bis 80Hz. 



Das Cipos Maxi SiC IPM verfügt über einen auf der Silicon-on-Isolator- (SOI)-Technologie basierenden 6-Kanal 1200-V-Gate-Treiber und sechs CoolSiC MOSFETs. Das DIP 36x23D ist das kleinste Gehäuse für 1200-V-IPMs. Schäden durch Transienten vermeidet der 6-Kanal-SOI-Gate-Treiber des SiC-Leistungsmoduls dank einer integrierten Totzeit. Zusätzlicher Unterspannungsschutz (UVLO) an allen Kanälen sowie Schutzfunktionen gegen Überstromabschaltung runden die Sicherheitsvorkehrungen ab. Ergänzt werden diese durch einen unabhängigen Thermistor zur Temperaturüberwachung.

 

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