16.12.2019

100V-n-Kanal-MOSFETs für Automotive-Anwendungen

Toshiba Electronics Europe stellt seine 100V-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Automotive-Anwendungen vor, die im SMD-SOP-Advance-/WF-Gehäuse ausgeliefert werden. Die Bausteine wurden laut Anbieter speziell für 48V-Systeme entwickelt und eignen sich für Aufwärts-/Boost-Wandler in integrierten Startergeneratoren (ISG), LED-Scheinwerfer sowie für Motorantriebe, Schaltregler und Lastschalter.


Bild: Toshiba

Die MOSFETs XPH4R10ANB und XPH6R30ANB haben einen geringen Durchlasswiderstand RDS (ON). Der XPH4R10ANB bietet den laut Toshiba branchenweit geringsten Widerstand mit 4,1mΩ. Beide Bausteine sind im SOP-Advance-/WF-Gehäuse mit Wettable Flanks untergebracht.

 

Beide MOSFETs sind Teil der U-MOSVIII-H-Serie von Toshiba und bieten eine Drain-Source-Spannung (UDSS) von 100V und eine maximale Betriebstemperatur von 175°C. Der XPH4R10ANB unterstützt einen maximalen kontinuierlichen Drain-Strom von 70A und Pulsströme bis 210A. Die Werte für den XPH6R30ANB betragen 45 bzw. 135A.


 


--> -->