100V-n-Kanal-MOSFETs für Automotive-Anwendungen

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Toshiba Electronics Europe stellt seine 100V-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Automotive-Anwendungen vor, die im SMD-SOP-Advance-/WF-Gehäuse ausgeliefert werden. Die Bausteine wurden laut Anbieter speziell für 48V-Systeme entwickelt und eignen sich für Aufwärts-/Boost-Wandler in integrierten Startergeneratoren (ISG), LED-Scheinwerfer sowie für Motorantriebe, Schaltregler und Lastschalter.



Die MOSFETs XPH4R10ANB und XPH6R30ANB haben einen geringen Durchlasswiderstand RDS (ON). Der XPH4R10ANB bietet den laut Toshiba branchenweit geringsten Widerstand mit 4,1mΩ. Beide Bausteine sind im SOP-Advance-/WF-Gehäuse mit Wettable Flanks untergebracht.

 

Beide MOSFETs sind Teil der U-MOSVIII-H-Serie von Toshiba und bieten eine Drain-Source-Spannung (UDSS) von 100V und eine maximale Betriebstemperatur von 175°C. Der XPH4R10ANB unterstützt einen maximalen kontinuierlichen Drain-Strom von 70A und Pulsströme bis 210A. Die Werte für den XPH6R30ANB betragen 45 bzw. 135A.

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