Die 100-V-Leistungs-MOSFETs eignen sich für Hot-Swap-Schaltungen in KI-Servern. Der RS7P200BM verfügt über ein DFN5060-8S-Gehäuse (Größe 5060). Damit ermöglicht er eine höhere Bestückungsdichte als der im Mai 2025 vom Unternehmen vorgestellte KI-Server-Leistungs-MOSFET RY7P250BM im DFN8080-8S-Gehäuse (Größe 8mm x 8mm).
Der RS7P200BM erreicht einen Einschaltwiderstand (RDS(on)) von 4,0 mΩ (Bedingungen: VGS = 10V, ID = 50A, Ta = 25°C). Gleichzeitig gewährleistet er einen SOA von 7,5A bei einer Impulsbreite von 10ms und 25A bei 1ms unter Betriebsbedingungen von VDS = 48V. Das Gleichgewicht zwischen niedrigem Einschaltwiderstand und großem SOA, das normalerweise einen Kompromiss darstellt, reduziert die Wärmeentwicklung während des Betriebs. Dadurch werden die Effizienz der Serverstromversorgung verbessert, die Kühllast verringert und die Stromkosten gesenkt.
Mögliche Anwendungen
- 48-V-KI-Serversysteme und Hot-Swap-Stromversorgungsschaltungen in Rechenzentren
- 48-V-Stromversorgungssysteme für industrielles Equipment (Gabelstapler, Elektrowerkzeuge, Roboter, Lüftermotoren etc.)
- Batteriebetriebene industrielle Geräte wie fahrerlose Transportsysteme
- USV- und Notstromsysteme (Batterie-Backup-Einheiten)
