Gegenüber Silizium bietet Galliumnitrid (GaN) einen hervorragenden spezifischen dynamischen Durchlasswiderstand und kleinere Kapazitäten. Dadurch sind GaN-HEMTs für Hochgeschwindigkeits-Schaltvorgänge geeignet. Daraus resultieren laut Infineon Stromeinsparungen, geringere Gesamtsystemkosten, ein Betrieb bei höheren Frequenzen, verbesserte Leistungsdichte und höhere Gesamtsystemeffizienz.
Für die Produktion wird auf eine 8-Zoll-Waferfertigung umgestellt. Wie die ebenfalls gemeinsam entwickelten Gen1-Bauelemente mit den Bezeichnungen Infineon CoolGaN und Panasonic X-GaN basiert auch die zweite Generation auf der selbstsperrenden GaN-on-Silicon-Transistorstruktur.
Die Markteinführung der 650-V-GaN-Gen2-Bauteile ist für das erste Halbjahr 2023 geplant.