Download: Referenzdesign für Hilfsstromversorgung für SiC-MOSFETs und IGBT-Gate-Treiber

FORSCHUNG & ENTWICKLUNG STROMVERSORGUNG

Von Würth Elektronik steht ein Referenzdesigns mit dem Titel „RD002: 6 W Unipolar isolated auxiliary supply for SiC-Mosfet and IGBT gate driver“ kostenlos zum Download bereit. Es umfasst 20 Seiten und wird durch die PCB-Daten ergänzt.



Das Referenzdesign erläutert den Aufbau einer Platine mit Abmessungen von 27mm x 14mm x 14mm mit einstellbarer Ausgangsspannung. Die Lösung liefert eine unipolare Ausgangsspannung von 15 bis 20V bei 6W Leistung und kann zum Beispiel in Akku-Ladegeräten, Wechselrichtern für Solaranlagen, Wechselstrommotoren oder bei Switch-Mode-Stromversorgungen mit SiC-MOSFETs zum Einsatz kommen.


Informationen zur Schaltung und zum Layout

Eine isolierte Hilfsstromversorgung mit geringer Leistung, typischerweise eine Flyback-, Push-Pull- oder Halbbrückentopologie, liefert den Gate-Treiberspannungspegel und die Leistung, die zum Ein- und Ausschalten des SiC-Transistors zusätzlich zur galvanischen Isolierung zwischen der Hochspannungs- und der Niederspannungsseite erforderlich ist.

Die Isolierung ist nicht nur nötig, um die einschlägigen Sicherheitsnormen zu erfüllen, sondern auch, um die elektrischen Störungen durch Kopplung zwischen Primär- und Sekundärseite des Wandlers zu reduzieren und somit die EMV sowie die Stabilität der Gate-Treibersteuerung zu verbessern. Der Transformator in der Hilfsversorgung (WE-750318114) erfüllt diese Hauptaufgabe.


Das Referenzdesign stellt Schaltung und Komponenten vor und zeigt verschiedene PCB-Layout-Varianten. Das englischsprachige Dokument  kann über den unten angeführten Link kostenfrei heruntergeladen werden.

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