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SiC-Dioden im DPAK-Gehäuse für 1200V/10A 21-06-12
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SemiSouth Laboratories hat die Strombelastbarkeit seiner Siliziumkarbid-Dioden von 5A auf 10A verdoppelt. Die Dioden 1200V/10A SDB10S120 haben einen positiven Temperaturkoeffizienten und lassen sich parallel schalten. Zudem weisen sie ein temperaturunabhängiges Schaltverhalten auf.

 

Die maximal zulässige Betriebstemperatur beträgt 175°C. Darüber hinaus gibt es bei diesen Bauteilen keine Forward- und Reverse-Recovery-Ströme. Die kapazitive Gesamtladung beträgt 40nC. Das DPAK- (TO-252-2L) Gehäuse mit zwei Anschlüssen beansprucht im eingebauten Zustand eine Grundfläche von 9,8mm x 6,6mm (Nennwert) und hat eine Höhe von 2,29mm.

 

Muster sind ab sofort verfügbar, die Serienproduktion beginnt noch im Juni 2012. Die Bauteile kosten 8,66US$ pro Stück bei Abnahme von 1000 Stück.






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