Infineon bietet 30V-MOSFETs für Hochstrom-Anwendungen im Fahrzeug an. Die OptiMOS-T2-MOSFETs sind N-Kanal-Leistungsschalter mit einem Drain-Strom von 180A und einem R DS(on) von 0,9mΩ bei einer Gate-Source-Spannung von 10V. Die OptiMOS-T2-Bausteine gehören zu Infineons zweiter Trench-Technologie-Generation von Leistungs-MOSFETs. Sie kommen im Antriebsstrang, der elektrischen Servolenkung (Electrical Power Steering, EPS) und in verschiedenen Start/Stopp-Funktionen zum Einsatz.

Die verwendete „Powerbond“ Hochstrom-Technologie ist günstiger als Drahtbond-Lösungen eines MOSFETs, denn sie senkt den R DS(on)-Abfall am Bonddraht und erhöht die Stromtragfähigkeit. Dadurch bleiben die Bonddrähte kühler, was die Zuverlässigkeit verbessert. Infineons Powerbond-Technologie soll eine vierfache 500-µm-Doppel-Drahtkontaktierung in einem MOSFET ermöglichen, was im Standardgehäuse einen Strom von 180A zulässt.

Die OptiMOS-T2-Technologien und die robusten Gehäuse widerstehen Temperaturen von 260°C beim Reflow-Löten mit MSL1 (Moisture Level 1) und bieten bleifreie Anschlüsse gemäß RoHS. Der Leistungs-MOSFET IPB180N03S4L-H0 ist nach den Spezifikationen des Automotive Electronics Council (AEC-Q101) qualifiziert.

Der IPB180N03S4L-H0 zielt auf Hochstrom-Applikationen mit mehr als 500A, indem mehrere MOSFETs parallel betrieben werden. Da der IPB180N03S4L-H0 einen Nennstrom von 180A liefert, lassen sich in Hochstrom-Anwendungen ein oder mehrere MOSFETs einsparen, um Strom-Aufteilung, thermisches Verhalten und Kosten zu optimieren.

Verfügbarkeit

Der 30V IPB180N03S4L-H0 mit 180A Drain-Strom und einem R DS(on) von 0,9mΩ ist in Produktion. Infineon bietet für kostenkritische Anwendungen auch eine Variante mit 30V/180A (IPB180N03S4L-01) und einem R DS(on) von 1,05mΩ bei 10V Gate-Source-Spannung an. Beide MOSFETs sind im Standardgehäuse D 2PAK-7 verfügbar.