Die Zahl der elektronischen (mobilen) Geräte auf der Welt wächst ständig, und da es immer mehr sendendes Equipment gibt, erweisen sich die elektromagnetischen Interferenzen (EMI) zwischen diesen Geräten und anderen Systemen zunehmend als Problem. Von den Systemen und den darin verbauten integrierten Schaltungen wird aus diesem Grund eine wachsende Unempfindlichkeit gegen elektromagnetische Einstrahlungen verlangt.

EMI-geschützter Verstärker für Drucksensor-Signale [zum Vergrößern in das Bild klicken]

Mit dem Ziel, die Probleme im Zusammenhang mit elektromagnetischen Interferenzen zu überwinden, entwickelte National Semiconductor Operationsverstärker mit erhöhter EMI-Inimunität.

In der vorliegenden Demonstration kommt ein Drucksensor mit zwei Schnittstellen, nämlich einem konventionellen und einem EMI-geschützen Interface, zum Einsatz. An einer festgelegten Position in einigen Zentimetern Entfernung von den Operationsverstärkern wird ein Mobiltelefon platziert. Wenn dieses Telefon angerufen wird, wirkt das von ihm ausgesendete HF-Signal auf die Operationsverstärker ein. Im Falle des konventionellen Operationsverstärkers bewirkt das vom Mobiltelefon abgestrahlte HFSignal eine Veränderung von VOUT um mehr als 1 V, während beim EMT-geschützten LMV851 keine nennenswerten Auswirkungen feststellbar sind.

Die Digitalisierung beider Ausgänge erfolgt mit einem gleichzeitig abtastenden A/D-Wandler mit zwei Kanälen und 12 Bit Auflösung.

Bauelemente in dieser Demonstration:

• LMV851:Stromsparender 8MHz-Single-Operationsverstärker in CMOS-Technik und EMI-geschützter Ausführung
• ADC122S706: Zweikanaliger A/D-Wandler mit gleichzeitiger Abtastung und einer Abtastrate zwischen 500 KSPS und 1 MSPS