Ultrafast-Dioden mit Nennströmen von 2 bis 150A

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Von Vishay Intertechnology gibt es elf neue Gen2-650-V-FRED-Pt-Ultrafast-Dioden. Die für Anwendungen mit Schaltfrequenzen über 40kHz vorgesehenen ungehäusten Chips der Familie H kombinieren schnelles und sanftes Recovery mit niedriger Durchlassspannung und geringem Sperrstrom.

 

Sie verringern dadurch die Schaltverluste in Solar-Wechselrichtern, unterbrechungsfreien Stromversorgungen (UPS), Elektrofahrzeugen und Hybrid-Elektrofahrzeugen, Schweißmaschinen, Servern und CCM- (Continuous Conduction Mode) Leistungsfaktorkorrekturschaltungen. Die auf Anfrage lieferbare, für Anwendungen mit Schaltfrequenzen bis 40kHz vorgesehene Serie U bietet wesentlich kleinere Durchlassspannungen und minimiert dadurch die Durchlassverluste.

 

Die Ultrafast-Dioden decken den Nennstrombereich von 2A bis 150A ab. Die hohe Sperrspannung dieser Dioden ermöglicht es Entwicklern, die Sicherheitsreserven zu vergrößern und die Leistungsdichte in Endprodukten zu erhöhen. Auf Anfrage sind die Dioden auch in gehäuster Ausführung lieferbar.

 

Die Dioden sind in zahlreichen Versionen mit unterschiedlichen Durchlassspannung/Reverse-Recovery-Zeit-Verhältnissen verfügbar; das erleichtert Entwicklern die Maximierung des Wirkungsgrads. Die Dioden bieten Reverse-Recovery-Zeiten bis hinab zu 28ns (typ.) bei +25°C (di/dt = 200 A/µs) und Durchlassspannungen bis hinab zu 1,38V (typ.). Die Bauteile sind für eine maximale Sperrschichttemperatur von +175°C spezifiziert.

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