Die LSIC2SD120C08-Baureihe mit einem Nennstrom von 8 A wird in einem TO-252-2L-Gehäuse angeboten. Die fusionierte p-n-Schottky (MPS)-Gerätearchitektur der GEN2 SiC-Schottky-Dioden soll die Stoßfestigkeit erhöhen, den Leckstrom reduzieren und das bei Sperrschichttemperaturen von bis zu 175 °C.
Die Baureihen LSIC2SD120A08, LSIC2SD120A15 und LSIC2SD120A20 der GEN2 1200V-SiC-Schottky-Dioden sind im TO-220-2L-Gehäuse in Röhren mit 1.000 Stück erhältlich. Die 1200-V-SiC-Schottky-Dioden der Baureihe 12002 von LSIC2SD120C08 im TO-252-2L-Gehäuse sind in Tape-und-Reel-Verpackung mit 2.500 Stück erhältlich.