OptiMOS-Linear-FETs von Infineon

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Die OptiMOS-Linear-FET-Serie von Infineon kombiniert den Durchlasswiderstand R DS(on) eines Trench-MOSFETs mit dem breiten sicheren Arbeitsbereich eines planaren MOSFETs. Das beseitigt den Widerspruch zwischen niedrigem R DS(on) und der Fähigkeit zum Linearmodus.



Der OptiMOS-Linear-FET arbeitet im Sättigungsbereich eines MOSFETs vom Anreicherungstyp. Er ist für Hot-Swap-, E-Sicherungs- und Schutzanwendugen geeignet, die häufig in Telekommunikations- und Batteriemanagementsystemen (BMS) zu finden sind. Sowohl der robuste Betrieb im Linearmodus als auch der höhere Impulsstrom sorgen laut Anbieter für niedrige Leitungsverluste, schnelleres Anspringen und kürzere Ausfallzeit.


Der Baustein begrenzt hohe Einschaltströme und verhindert damit Schäden unter Last bei einem Kurzschluss. Der OptiMOS-Linear-FET ist in drei Spannungsklassen erhältlich: 100V, 150V und 200V. Die Varianten sind lieferbar in den Gehäusetypen D²PAK oder D²PAK-7Pin. Sie entsprechen dem Industriestandard weisen kompatible Abmessungen auf.

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