Auf Basis von Toshibas "U-MOS IX-H" Trench-Prozess konnte der Durchlasswiderstand der MOSFETs reduziert werden. So beträgt der RDS(ON) beim 30V SSM6K513NU 6,5mΩ und beim 40V SSM6K514NU 8,9mΩ. Im Vergleich zu Toshibas bestehenden MOSFETs, wie dem SSM6K504NU, sollen sie die Wärmeentwicklung durch Einschaltverluste um etwa 40% verringern.
Der SSM6K513NU und SSM6K514NU eignen sich als Schalter für elektrische Leistungen oberhalb von 10W, wie z.B. in kleinen Mobilgeräten die den USB Type-C und USB Power Delivery (PD) Standard unterstützen. Beide MOSFETs werden im SOT-1220-Gehäuse ausgeliefert.
