Verfügbar sind diese Übertrager in bedrahteten Versionen und als SMDs sowie in Varianten mit unterschiedlichen Übersetzungsverhältnissen. Vorgesehen sind sie zur Ansteuerung von High-Side-MOSFETs und IGBTs an Betriebsspannungen bis 1200V.
Die Übertrager sind für den Frequenzbereich von 100kHz bis 500kHz ausgelegt und laut Hersteller für galvanisch getrennte Halbbrücken-, Vollbrücken und Dual-Active-Forward-Spannungswandler optimiert. Sie bieten eine Treiber-zu-Gate-Durchschlagsfestigkeit von 3750VAC, eine Streuinduktivität von 0,5μH und einen Dauer-Betriebstemperaturbereich von –40°C bis +85°C.
